alguien me puede ayudar para resolver estos problemas o me puede recomendar libros de consulta o explicarme el metodo para su resolucion de antemano muchas gracias


  • Encontrar la energía de ionización para estado básico de la donador tipo hidrogeno en GaAs (la masa efectiva es 0.067 mo, constante dieléctrica e = 12).
  • El semiconductor Si tiene los donadores (la densidad es N = 1017 cm-3) con energía de ionización Wi = 0.01 eV. Que es la densidad de los electrones a temperatura 100 K? La masa efectiva para los electrones es 0.1 me, para los huecos – 0.5 me.

3. El campo eléctrico en Si monocristalino tiene la dirección [110]. Para los electrones de la minima de banda de conducción en axis [010], encontrar el ángulo entre el campo y la corriente. ¿Que será el ángulo correspondiente para la corriente producido por electrones de todas 6 mínimas equivalentes de la banda de conducción?
4. Semiconductor GaAs con el valor de brecha de energía de 1.45 eV esta dopado con aceptadores (átomos de Zn), su concentración es N =3·1016 cm-3 y energía de ionización de 0.1 eV. Hacer el cálculo de la conductividad eléctrica a temperaturas 300 K y 600 K. La densidad de estados en banda “c” a 300 K es 3·1017 cm-3 y en banda “v” - 1·1018 cm-3, la movilidad de los electrones 35000 cm2/V·s y los huecos 800 cm2/V·s, no dependen de la temperatura.